Germanio iperdrogato di tipo n come piattaforma abilitante per nanoelettronica e fotonica del gruppo IV — Fisica sperimentale della materia e applicazioni

Descrizione

Germanio iperdrogato di tipo n come piattaforma abilitante per nanoelettronica e fotonica del gruppo IV “- Sintesi di Ge:P, Ge:Sb e Ge co-drogato P+Sb mediante deposizione nel cluster PVD e pulsed laser melting (PLM), incluso il regime di film sottile; - Caratterizzazione strutturale, chimica ed elettrica in sede (HRXRD, AFM, micro-Raman, van der Pauw-Hall) e campagne di stabilita termica; - Preparazione dei campioni per le misure esterne: pattern di Hall bar e strutture TLM al micro-laserwriter del DFA, deposizione dei contatti nel cluster PVD; - Magnetotrasporto a bassa temperatura presso IHP Frankfurt e tomografia a sonda atomica presso GPM Rouen; fotoluminescenza NIR e misure ARPES presso luci di sincrotrone; - Sviluppo di un protocollo di profilazione del drogaggio attivo tramite bevel + c-AFM e micro-Raman; - Coordinamento operativo delle attivita e dei dottorandi coinvolti, integrazione del dataset multi-tecnica, disseminazione dei risultati (pubblicazioni e conferenze).” Settore disciplinare: PHYS-03/A Fisica sperimentale della materia e applicazioni Fonte: portale bandi MUR (Incarico di ricerca).